【 청년일보 】 삼성전자가 올해 1분기 반도체 부문에 힘입어 사상 최대 분기 실적을 경신한 가운데, 전영현 DS부문장(부회장)의 '기술 리더십' 행보가 다시금 조명받고 있다.

전 부회장 취임 이후 단행된 HBM 개발팀 신설과 제품 재설계 등 근원적 기술 경쟁력 회복을 위한 정공법이 글로벌 빅테크 공급망 합류로 이어지며 실적 상승의 결정적 동력이 됐다는 분석이다.

6일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 30일 연결 기준 올해 1분기 영업이익이 57조2천328억원으로 전년 동기보다 756.1% 증가한 것으로 잠정 집계됐다고 공시했다. 

실적 성장의 주역은 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문이었다. 인공지능(AI) 시장 확대에 따른 고부가가치 제품 판매 호조와 메모리 가격 상승이 맞물리며, 전사 영업이익의 94%를 견인했다. 올해 1분기 DS부문의 매출, 영업이익은 각각 81조7천억원, 53조7천억원으로, 이는 전년 동기 대비 225%, 4천781% 급증한 수치다. 

메모리는 시장 가격 상승 효과와 함께 제한된 공급 가능 수량 내에서 AI용 고부가가치 제품 수요에 적극 대응해 사상 최대 분기 실적을 달성했다. 또한, 업계 최초로 HBM4와 차세대 저전력 메모리 모듈 SOCAMM2를 동시 양산하고 판매를 시작한 가운데 PCIe Gen6 SSD를 적기에 개발했다.

업계 안팎에서는 이번 성과를 전 부회장이 단행한 기술 리더십 기반의 조직 쇄신 결과로 보고 있다. 앞서 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM) 경쟁에서 뒤처졌다는 평가를 받으며 기술 경쟁력에 대한 의구심을 제기받기도 했다. DS부문은 2023년 14조8천800억원 규모의 영업적자를 기록하며 이른바 '반도체 위기론'에 직면했다. 

반전의 서막은 2024년 5월, 전 부회장의 취임과 함께 시작됐다. 한양대 전자공학부, 카이스트 전자공학 석·박사 출신인 전 부회장은 D램 설계팀과 개발실을 진두지휘하는 등 반도체 분야에 '잔뼈'가 굵은 인물로 정평이 나 있었으며, 위기 상황에서 그의 등판은 업계 안팎의 큰 주목을 받았다.

취임 이후 전 부회장은 HBM 경쟁력 저하의 원인을 D램 설계로 보며 D램 재설계를 통한 기본기 강화, HBM 전담 조직 신설 등 기술 본원 경쟁력 회복을 위한 쇄신책을 단행했다. 

특히 2024년 7월 조직개편을 통해 메모리 사업부 내 신설된 'HBM개발팀'은 성장하는 HBM 수요에 선제적으로 대응하고, 경쟁사에 밀린 기술 격차를 좁혀 주도권을 탈환하겠다는 의지가 반영된 결과물이다. 이후 설계 역량을 높이며 그동안 난항을 겪어온 퀄테스트(품질검사) 문턱을 넘어 HBM '큰 손' 고객인 엔비디아에 HBM3E(5세대 HBM) 납품을 공식화하는 성과를 이뤘다. 

지난해 11월에는 HBM 개발팀을 D램 개발실 산하로 재편하는 조직 재편을 단행했다. 전담팀 신설 1년여 만에 이뤄진 조치로, 일각에선 엔비디아뿐만 아니라 AMD, 오픈AI 등 글로벌 빅테크 기업들과의 공급 계약을 잇달아 성사시키며 HBM 사업이 본궤도에 오른데 따른 조치로 내다본다. 

재계 관계자는 "당시 HBM 개발팀 신설을 통해 조직의 역량을 결집하고, 재설계라는 정공법 등 쇄신이 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크 공급망 합류로 직결되면서 실적 상승의 결정적 요인이 된 것으로 보인다"고 말했다.

한편, 삼성전자는 AI 인프라 투자 확대 지속으로 메모리 가격 상승세가 이어져 2분기에도 추가 실적 개선을 기대하고 있다. 

삼성전자 측은 "AI 산업 성장에 따른 메모리 수요 강세에 지속 대응할 계획"이라면서 "기술 리더십을 공고히 하기 위해 HBM4E 첫 샘플도 공급할 예정"이라고 밝혔다.

【 청년일보=이창현 기자 】