한종희 부회장 "모든 디바이스 AI 본격 적용…새로운 경험 제공"

등록 2024.03.20 11:51:33 수정 2024.03.20 11:52:14
이창현 기자 chlee3166@youthdaily.co.kr

경계현 사장 "12단 적층 HBM 선행 통해 HBM3/HBM3E 시장 주도권 찾을 것"

 

【 청년일보 】 한종희 삼성전자 부회장은 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 정기 주주총회에서 "삼성전자는 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침"이라며 사업부문별 경영전략을 밝혔다. 

 

한 부회장은 "삼성의 전 제품과 서비스에서 생성형 AI와 온디바이스 AI가 만들어가는 변화와 혁신을 앞서 경험하게 될 것"이라고 말했다. 

 

이어 "스마트폰, 웨어러블, 액세서리, XR 등 모바일 제품 전반의 AI 적용을 확대하고 차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질, 음질, 고도화 한차원 높은 개인화된 콘텐츠를 확대해 나가며 비스포크 AI 콤보를 통해 일반 가전제품을 지능형 홈 가전으로 업그레이드 하겠다"고 덧붙였다. 

 

한 부회장은 "나아가 삼성의 AI 차별적 역량을 대표하는 자체 생성형 모델 가우스를 더욱 발전시켜나가겠다"면서 "회사는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 헬스 등 미래 기회 영역을 적극 발굴해 새로운 성장 발판을 마련하겠다"고 말했다. 

 

경계현 DS부문장(사장)도 각 사업부 경영전략에 대해 "메모리는 판매 전 제품의 경쟁력 우위 확보를, 파운드리는 지속 성장이 가능한 사업 구조의 기틀을 만들겠다"면서 "시스템 LSI는 사업팀별 체제 재확립을 통해 각 사업군이 독자 생존이 가능할 수 있도록 준비하겠다"고 밝혔다. 

 

특히 메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3/HBM3E 시장의 주도권을 찾는다는 계획이다.

 

또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보하겠다는 방침을 세웠다. 

 

연구개발(R&D)에 과감한 투자를 아끼지 않겠다는 의지도 피력했다.

 

경 사장은 "기흥 캠퍼스에 건설 중인 차세대 반도체 R&D 단지는 오는 2030년까지 약 20조 원이 투입되는 대규모 프로젝트로 미래 기술을 선도하는 핵심 연구기지 역할을 하게 될 것"이라고 말했다.

 

이어 "반도체 연구소를 양·질적 측면에서 2배로 키울 계획이며, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 하겠다"고 덧붙였다.

 

경 사장은 "R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화해 원가 경쟁력을 확보하도록 하겠다"면서 "이를 통해 안정적인 수익성을 확보하고 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환 구조를 구축해 나가겠다"고 역설했다.

 


【 청년일보=이창현 기자 】




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