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삼성전자 "14나노 D램·176단 V낸드로 메모리시장 공략“

"낸드 단수보다 원가·효율성 문제"...기술 경쟁력 저하 우려 반박
하반기 5개 레이어 EUV 적용·출시...10년 장기 기술로드맵 계획
파운드리는 하반기 4나노 1세대 양산...QD 디스플레이 양산 돌입

 

【 청년일보 】 한진만 삼성전자 메모리 담당 부사장은 29일 2분기 실적발표 이후 진행된 컨퍼런스콜에서 “삼성은 싱글스택 방식으로 128단을 올려 업계 최고의 에칭기술을 확보했다”며 “이를 어떻게 효율적으로 쌓아 올릴 것인지 시점과 방법과 관련한 고민이 중요해졌다”고 말했다.

 

이어 한 부사장은 “단수에 집중하기보다 낸드 높이가 효율성 측면이나 원가 측면에서 얼마나 경쟁력이 높은지 판단하는 상황”이라고 덧붙였다. 이는 최근 미국 마이크론이 176단 낸드를 개발하면서 삼성전자의 기술 경쟁력이 떨어진 게 아니냐는 일각의 우려에 대한 해명이자 자신감의 표명인 셈이다.

 

삼성전자는 올 하반기 5개 레이어에 극자외선(EUV)을 적용한 업계 최선단 14나노 D램과 업계 최소 셀 크기로 설계된 7세대 176단 V낸드를 선보이며, V낸드 기술이 적용된 대용량 소비자용 SSD도 출시할 예정이다.

 

한 부사장은 하반기 출시되는 제품과 관련해 “14나노 D램은 14나노대에서 구현 가능한 최소의 선폭”이라며 “EUV를 D램 공정에 선제적으로 적용한 만큼 장기적 기술리더십을 확보했다”고 설명했다.

 

이어 그는 D램 원가경쟁력과 관련해 “D램이 세대가 거듭되고 공정 미세화가 진행되면서 원가절감의 난이도가 높아진다”며 “14나노 기반의 DDR5 제품은 EUV를 적용해 전체 공정이 감소하면서 원가를 줄일 수 있다”고 답했다.

 

아울러 낸드 기술로드맵과 관련해서는 “2022년까지 176단 6·7세대가 중심이 될 것이고 이후 10년 기술로드맵이 계획된 상황”이라며 “더블스택에서 가격 경쟁력이 기대되는 200단 이상 8세대 V낸드는 동작칩을 확보한 상태로 라인업 확대를 위한 제반준비도 마쳤다”고 전했다.

 

또한 삼성전자는 하반기 파운드리 부문에서 평택 S5 라인 공급을 확대하고 차세대 선단공정 양산에 들어가 TSMC를 추격할 발판을 마련하겠다는 계획이다.

 

한승준 파운드리 사업부 전무는 “하반기에 5나노 2세대와 4나노 1세대 제품 양산에 들어가 선단공정 칩 공급을 확대할 것”이라며 “중장기투자를 고려해 가격전략을 수립하고 고객 응용처도 변화시키겠다”고 말했다.

 

삼성디스플레이가 만드는 퀀텀닷(QD) 디스플레이도 4분기에 본격 생산에 들어간다. QD는 삼성이 대형 디스플레이의 하이엔드 시장 대응을 위해 전략적으로 준비 중인 제품이다.

 

최권영 삼성디스플레이 전무는 “현재 고객사 요청으로 TV와 모니터를 모두 생산 중이다. 추가 투자는 고객사와 시장반응에 따라 결정하겠다”며 “QD를 통해 고품질 OTT나 게임 등 대형 디스플레이 시장의 수요를 충족할 것”이라고 밝혔다.

 

【 청년일보=정은택 기자 】 

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