【 청년일보 】 삼성전자가 반도체 슈퍼사이클(초호황)을 맞아 지난해 사상 최대 규모의 연구개발(R&D) 투자를 단행한 것으로 나타났다.

10일 삼성전자가 공시한 사업보고서에 따르면, 회사의 지난해 R&D 총 지출액은 37조7천548억원으로 기존 역대 최대치였던 2024년 대비 7.8% 증가했다. 매출액 대비 R&D 비용은 11.3%로 전년(11.6%)보다 소폭 낮아졌다.

삼성전자의 이번 대규모 투자는 인공지능(AI) 시장 확대에 따른 고대역폭메모리(HBM)와 고용량 DDR5 등 차세대 반도체 수요에 선제적으로 대응하기 위한 전략으로 풀이된다.

실제로 삼성전자는 지난달 12일 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공하며 AI 칩 시장에서의 리더십을 공고히 했다는 평가를 받고 있다.

삼성전자는 R&D 투자를 바탕으로 지난해 국내 특허 1만639건, 미국 특허 1만347건 등을 등록했다. 국내 특허와 미국 특허는 전년 대비 각각 2천835건, 1천119건 증가했다.

이 같은 특허는 스마트폰, 스마트 TV, 메모리, 시스템LSI 등에 관한 특허로서 전략사업 제품에 쓰이거나 향후 활용할 예정이다. 현재까지 확보한 총 특허 수는 28만1천857건이다.

R&D뿐만 아니라 시설 투자(CAPEX)에도 적극적인 행보를 이어가고 있다. 지난해 반도체와 디스플레이 등 시설 투자에 총 52조7천억원을 집행하며, 당초 계획보다 투자 규모를 5조원 이상 확대했다.

특히 기흥 캠퍼스에 건설 중인 최첨단 R&D 복합단지 'NRD-K' 등 미래 생산 기반 확충에 총력을 기울이고 있다.

삼성전자는 사업보고서를 통해 올해 HBM4 시장에서 적기 공급 확대를 통해 고객 수요에 적극 대응하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 HBM4에 최선단 공정 1c D램(10나노 6세대)을 선제적으로 도입해 양산 초기부터 안정적인 수율은 물론 업계 최고 수준의 성능을 확보했다.

삼성전자는 "자체 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 긴밀한 협업을 통해 압도적 성능의 HBM4 성능을 선보이고 있다"면서 "앞으로도 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발해 나갈 계획"이라고 밝혔다.

【 청년일보=이창현 기자 】